丝印：10N04NM6；Package：PG-TDSON-8FL；OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V

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INFINEON

英飞凌

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 40 V 正常电平，采用最新的英飞凌技术，采用 SuperSO8 封装

\n优势:\n• Normal gate drive offers immunity to false turn-on in noisy environments\n• Reduced switching losses due to low gate charge\n• Suitable for FOC (field-oriented control) and DTC (direct torque control) motor control techniques;

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英飞凌

OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V

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英飞凌

汽车电子连接器

SAMTEC/砷泰

上传：天津市博通航睿技术有限公司

DIP28 |

ISD |

上传：深圳市卓越微芯电子有限公司