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ISC055N15NM6

丝印:055N15N6;Package:PG-TDSON-8;MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V

Features • N‑channel, normal level • Very low on‑resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 • MSL 1 classified according to J‑STD‑020

文件:1.49704 Mbytes 页数:13 Pages

Infineon

英飞凌

ISC055N15NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 150 V 正常电平,采用 SuperSO8 封装

• 极低的 RDS(on)\n • FOMg 比 OptiMOS ™ 5 低 20%\n • 150 V 下业界最低的 Qrr\n • 与 OptiMOS ™ 5 相比,二极管软度得到改善\n • Vgs(th) 严格控制在 +/-500 mV 范围内\n • 高雪崩强度\n • 最大 Tj 为 175°C;

Infineon

英飞凌

ISD1-03

汽车电子连接器

SAMTEC/砷泰

ISD1110P

DIP28 |

ISD |

ISD1720P

DIP

ISD

技术参数

  • IDpulsmax:

    520 A

  • Ptotmax:

    214 W

  • QG(typ @10V):

    43 nC

  • RDS (on)(@10V) max:

    5.5 mΩ

  • VDSmax:

    150 V

  • VGS(th):

    3.5 V

  • Package:

    SuperSO8 5x6 FL

  • Operating Temperature:

    -55 °C to 175 °C

  • Polarity:

    N

  • Special Features:

    Fused leads

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更多ISC055N15NM6供应商 更新时间2025-12-5 14:12:00