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ISC055N15NM6中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

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厂商型号

ISC055N15NM6

功能描述

MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V

丝印标识

055N15N6

封装外壳

PG-TDSON-8

文件大小

1.49704 Mbytes

页面数量

13

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 16:47:00

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ISC055N15NM6规格书详情

特性 Features

• N‑channel, normal level

• Very low on‑resistance RDS(on)

• Superior thermal resistance

• 100% avalanche tested

• Pb‑free lead plating; RoHS compliant

• Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

• MSL 1 classified according to J‑STD‑020

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