丝印：04415N6；Package：PG-TSON-8；MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 150 V

Features • N‑channel, normal level • Very low on‑resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 • MSL 1 classified according to J‑STD‑020

文件：1.32132 Mbytes 页数：13 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 150 V 正常电平，采用 SuperSO8 封装

• RDS(on) 比 OptiMOS ™低 41％\n • FOMg 比 OptiMOS ™ 5 低 20%\n • 150 V 下业界最低的 Qrr\n • 与 OptiMOS ™ 5 相比，二极管软度得到改善\n • Vgs(th) 严格控制在 +/-500 mV 范围内\n • 高雪崩强度\n • 最大 Tj 为 175°C;

Infineon

英飞凌

SAMTEC/砷泰
汽车电子连接器

SAMTEC/砷泰

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ISD |
DIP28 |

ISD |

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ISD
DIP

ISD

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