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IS61LV256AL-10TLI	文件：95.95 Kbytes Page：13 Pages	32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61LV256ALisaveryhigh-speed,lowpower,32,768-wordby8-bitstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsmaximum. FEATURES •High-	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS61LV256AL-10TLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS61LV256AL-10TLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS61LV256AL-10J	文件：95.95 Kbytes Page：13 Pages	32Kx8LOWVOLTAGECMOSSTATICRAM DESCRIPTION TheISSIIS61LV256ALisaveryhigh-speed,lowpower,32,768-wordby8-bitstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsmaximum. FEATURES •High-	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS61LV256AL-10JI	文件：95.95 Kbytes Page：13 Pages	32Kx8LOWVOLTAGECMOSSTATICRAM DESCRIPTION TheISSIIS61LV256ALisaveryhigh-speed,lowpower,32,768-wordby8-bitstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsmaximum. FEATURES •High-	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
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IS61LV256AL-10JLI	文件：95.95 Kbytes Page：13 Pages	32Kx8LOWVOLTAGECMOSSTATICRAM DESCRIPTION TheISSIIS61LV256ALisaveryhigh-speed,lowpower,32,768-wordby8-bitstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsmaximum. FEATURES •High-	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
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IS61LV256AL-10TI	文件：95.95 Kbytes Page：13 Pages	32Kx8LOWVOLTAGECMOSSTATICRAM DESCRIPTION TheISSIIS61LV256ALisaveryhigh-speed,lowpower,32,768-wordby8-bitstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsmaximum. FEATURES •High-	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS61LV256AL-10TL	文件：95.95 Kbytes Page：13 Pages	32Kx8LOWVOLTAGECMOSSTATICRAM DESCRIPTION TheISSIIS61LV256ALisaveryhigh-speed,lowpower,32,768-wordby8-bitstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nsmaximum. FEATURES •High-	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司

产品属性

产品编号：
IS61LV256AL-10TLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽）
供应商器件封装：
28-TSOP I
描述：
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I

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