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IS61WV51216BLL-10MLI	文件：204.75 Kbytes Page：20 Pages	512K x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS61WV51216BLL-10MLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：48-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS61WV51216BLL-10MLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：48-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS61WV51216BLL-10MI	文件：204.75 Kbytes Page：20 Pages	512Kx16HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
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产品属性

产品编号：
IS61WV51216BLL-10MLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
8Mb（512K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
2.4V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-迷你型BGA（9x11）
描述：
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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