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IS62WV5128BLL-55HLI	文件：286.39 Kbytes Page：17 Pages	512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS62WV5128ALL/IS62WV5128BLLarehighspeed,4MbitstaticRAMsorganizedas512Kwordsby8bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceandlow	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
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IS62WV5128BLL-55QLI	文件：286.39 Kbytes Page：17 Pages	512Kx8LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM DESCRIPTION TheISSIIS62WV5128ALL/IS62WV5128BLLarehighspeed,4MbitstaticRAMsorganizedas512Kwordsby8bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshighperformanceandlow	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
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产品属性

产品编号：
IS62WV5128BLL-55HLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（512K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
2.5V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-TFSOP（0.465"，11.80mm 宽）
供应商器件封装：
32-sTSOP I
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP I

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