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IS63LV1024L-10KLI	文件：614.95 Kbytes Page：18 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
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IS63LV1024L-10TI	文件：45.6 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT DESCRIPTION TheISSIIS63LV1024/IS63LV1024Lisaveryhigh-speed,lowpower,131,072-wordby8-bitCMOSstaticRAMinrevolutionarypinout.TheIS63LV1024/IS63LV1024LisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesignt	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
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IS63LV1024L-10TLI	文件：614.95 Kbytes Page：18 Pages	128Kx8HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAM3.3VREVOLUTIONARYPINOUT	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司

产品属性

产品编号：
IS63LV1024L-10KLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

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