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IS64WV102416BLL-10MLA3	文件：323.87 Kbytes Page：20 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLLarehigh-speed,16M-bitstaticRAMsorganizedas1024Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS64WV102416BLL-10MLA3	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS64WV102416BLL-10MLA3

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1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLLarehigh-speed,16M-bitstaticRAMsorganizedas1024Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance

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北京矽成北京矽成半导体有限公司

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Package：48-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

产品属性

产品编号：
IS64WV102416BLL-10MLA3
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
16Mb（1M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
2.4V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-迷你型BGA（9x11）
描述：
IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IS64WV102416BLL-10MLA3供应商更新时间2025-7-25 15:55:00

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