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IS63LV1024L-10TLI	文件：614.95 Kbytes Page：18 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT 文件：614.95 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS63LV1024L-10TLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS63LV1024L-10TLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS63LV1024L-10B	文件：45.6 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT DESCRIPTION The ISSIIS63LV1024/IS63LV1024L is a very high-speed, low power, 131,072-word by 8-bit CMOS static RAM in revolutionary pinout. The IS63LV1024/IS63LV1024L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design t 文件：45.6 Kbytes 页数：9 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS63LV1024L-10BI	文件：45.6 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT DESCRIPTION The ISSIIS63LV1024/IS63LV1024L is a very high-speed, low power, 131,072-word by 8-bit CMOS static RAM in revolutionary pinout. The IS63LV1024/IS63LV1024L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design t 文件：45.6 Kbytes 页数：9 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS63LV1024L-10HI	文件：45.6 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT DESCRIPTION The ISSIIS63LV1024/IS63LV1024L is a very high-speed, low power, 131,072-word by 8-bit CMOS static RAM in revolutionary pinout. The IS63LV1024/IS63LV1024L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design t 文件：45.6 Kbytes 页数：9 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS63LV1024L-10TLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.45V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
32-TSOP II
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II

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