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IS61WV5128BLL-10KLI	文件：586.36 Kbytes Page：26 Pages	512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM 文件：586.36 Kbytes 页数：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV5128BLL-10KLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV5128BLL-10KLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV5128BLL-10TI	文件：586.36 Kbytes Page：26 Pages	512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM 文件：586.36 Kbytes 页数：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV5128BLL-10TLI	文件：586.36 Kbytes Page：26 Pages	512K x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM 文件：586.36 Kbytes 页数：26 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS61WV5128BLL-10KLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（512K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
1.65V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
36-SOJ
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

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