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IS61NLP25636A-200B3I	文件：261.57 Kbytes Page：37 Pages	256K x 36 and 512K x 18 9Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM DESCRIPTION The9MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby36bitsand512Kwordsby18bits,fabric	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61NLP25636A-200B3I	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-TBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA	ETC	ETC
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IS61NLP25636A-200B3	文件：261.57 Kbytes Page：37 Pages	256Kx36and512Kx189Mb,PIPELINE(NOWAIT)STATEBUSSRAM DESCRIPTION The9MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas256Kwordsby36bitsand512Kwordsby18bits,fabric	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61NLP51218A-200TQLI-TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	ISSI(美国芯成) LQFP-100(14x20)	ISSI(美国芯成) 相关企业：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI(美国芯成)

产品属性

产品编号：
IS61NLP25636A-200B3I
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
9Mb（256K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-TBGA
供应商器件封装：
165-TFBGA（13x15）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA

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