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IS61WV25616BLL-10TLI	文件：212.36 Kbytes Page：21 Pages	256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV25616BLL-10TLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV25616BLL-10TLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV25616BLL-10BI	文件：212.36 Kbytes Page：21 Pages	256Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV25616BLL-10BLI	文件：212.36 Kbytes Page：21 Pages	256Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV25616BLL-10TI	文件：212.36 Kbytes Page：21 Pages	256Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAM	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
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产品属性

产品编号：
IS61WV25616BLL-10TLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
2.4V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

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