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IS61NLP25618A-200TQLI	文件：200.09 Kbytes Page：29 Pages	128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 4Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM DESCRIPTION The 4 Meg NLP/NVP product family feature high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide a burstable, high-performance, no wait state, device for networking and communications applications. They are organized as 128K words by 32 bits, 128K words by 36 bits, and 256K 文件：200.09 Kbytes 页数：29 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61NLP25618A-200TQLI	文件：528.09 Kbytes Page：29 Pages	128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 STATE BUS SRAM DESCRIPTION The 4 Meg NLP/NVP product family feature high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide a burstable, high-performance, no wait state, device for networking and communications applications. They are organized as 128K words by 32 bits, 128K words by 36 bits, and 256K 文件：528.09 Kbytes 页数：29 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61NLP25618A-200TQLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NLP25618A-200TQLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

产品属性

产品编号：
IS61NLP25618A-200TQLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
4.5Mb（256K x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-LQFP（14x20）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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