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IS41LV16100B-60KL	文件：143.69 Kbytes Page：22 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE DESCRIPTION TheISSIIS41LV16100Bis1,048,576x16-bithigh-performanceCMOSDynamicRandomAccessMemories.ThesedevicesofferanacceleratedcycleaccesscalledEDOPageMode.EDOPageModeallows1,024randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletimeasshortas20nsper16-bitword	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS41LV16100B-60KL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
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产品属性

产品编号：
IS41LV16100B-60KL
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
DRAM - EDO
存储容量：
16Mb（1M x 16）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
42-SOJ
描述：
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ

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