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IS41LV16100B-60T集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

IS41LV16100B-60T
厂商型号

IS41LV16100B-60T

参数属性

IS41LV16100B-60T 封装/外壳为44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II

功能描述

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

封装外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

文件大小

143.69 Kbytes

页面数量

22

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSI北京矽成

中文名称

北京矽成半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-25 15:38:00

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IS41LV16100B-60T规格书详情

DESCRIPTION

TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word.

FEATURES

• TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O

• Refresh Interval:

— Auto refresh Mode: 1,024 cycles /16 ms

— RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

• JEDEC standard pinout

• Single power supply: 3.3V ± 10

• Byte Write and Byte Read operation via two CAS

• Industrial Temperature Range: -40oC to +85oC

• Lead-free available

产品属性

  • 产品编号:

    IS41LV16100B-60TLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    DRAM - EDO

  • 存储容量:

    16Mb(1M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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