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IS41LV16105B-50T	文件：131.5 Kbytes Page：20 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI IS41LV16105B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Fast Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41LV 文件：131.5 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16105B-50TE	文件：131.5 Kbytes Page：20 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI IS41LV16105B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Fast Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41LV 文件：131.5 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16105B-50TI	文件：131.5 Kbytes Page：20 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI IS41LV16105B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Fast Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41LV 文件：131.5 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16105B-50TL	文件：131.5 Kbytes Page：20 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI IS41LV16105B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Fast Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41LV 文件：131.5 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16105B-50TLE	文件：131.5 Kbytes Page：20 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI IS41LV16105B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Fast Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41LV 文件：131.5 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16105B-50TLI	文件：131.5 Kbytes Page：20 Pages	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI IS41LV16105B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Fast Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the IS41LV 文件：131.5 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16105B-50TLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS41LV16105B-50TLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS41LV16105B-50TL-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

详细参数

型号：
IS41LV16105B-50T
功能描述：
动态随机存取存储器 16M 1Mx16 50ns
RoHS：
否
制造商：
ISSI
数据总线宽度：
16 bit
组织：
1 M x 16
封装/箱体：
SOJ-42
存储容量：
16 MB
访问时间：
50 ns
电源电压-最大：
7 V
电源电压-最小：
- 1 V
最大工作电流：
90 mA
最大工作温度：
+ 85 C
封装：
Tube

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