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IS41LV16100B-60TLI集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IS41LV16100B-60TLI |
| 参数属性 | IS41LV16100B-60TLI 封装/外壳为44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II |
| 功能描述 | 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 封装外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 文件大小 |
143.69 Kbytes |
| 页面数量 |
22 页 |
| 生产厂商 | ISSI |
| 中文名称 | 矽成半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-16 14:36:00 |
| 人工找货 | IS41LV16100B-60TLI价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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IS41LV16100B-60TLI规格书详情
DESCRIPTION
TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word.
FEATURES
• TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O
• Refresh Interval:
— Auto refresh Mode: 1,024 cycles /16 ms
— RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden
• JEDEC standard pinout
• Single power supply: 3.3V ± 10
• Byte Write and Byte Read operation via two CAS
• Industrial Temperature Range: -40oC to +85oC
• Lead-free available
产品属性
- 产品编号：
IS41LV16100B-60TLI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
DRAM - EDO
- 存储容量：
16Mb（1M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
- 供应商器件封装：
44-TSOP II
- 描述：
IC DRAM 16MBIT PAR 44TSOP II
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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