IS41LV16100B-60TI中文资料北京矽成数据手册PDF规格书

厂商型号	IS41LV16100B-60TI
功能描述	1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
文件大小	143.69 Kbytes
页面数量	22 页
生产厂商	Integrated Silicon Solution Inc
企业简称	ISSI【北京矽成】
中文名称	北京矽成半导体有限公司官网
原厂标识	ISSI
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-8-5 18:20:00
人工找货	IS41LV16100B-60TI价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

IS41LV16100B-60TI规格书详情

DESCRIPTION

TheISSIIS41LV16100B is 1,048,576 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. These devices offer an accelerated cycle access called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a single row with access cycle time as short as 20 ns per 16-bit word.

FEATURES

• TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O

• Refresh Interval:

— Auto refresh Mode: 1,024 cycles /16 ms

— RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden

• JEDEC standard pinout

• Single power supply: 3.3V ± 10

• Byte Write and Byte Read operation via two CAS

• Industrial Temperature Range: -40oC to +85oC

• Lead-free available

产品属性

型号：
IS41LV16100B-60TI
功能描述：
动态随机存取存储器 16M 1Mx16 60ns
RoHS：
否
制造商：
ISSI
数据总线宽度：
16 bit
组织：
1 M x 16
封装/箱体：
SOJ-42
存储容量：
16 MB
访问时间：
50 ns
电源电压-最大：
7 V
电源电压-最小：
- 1 V
最大工作电流：
90 mA
最大工作温度：
+ 85 C
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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