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IRLZ24NS	文件：180.51 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：180.51 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLZ24NSPBF	文件：301.3 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：301.3 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLZ24PBF	文件：1.77672 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：1.77672 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRLZ24PBF	文件：1.617 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissip 文件：1.617 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ24S	文件：431.25 Kbytes Page：14 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dv/dt rating • Logic-level gate drive • RDS (on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175°C operating temperature • Fast switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note 文件：431.25 Kbytes 页数：14 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ24S_V02	文件：431.25 Kbytes Page：14 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dv/dt rating • Logic-level gate drive • RDS (on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175°C operating temperature • Fast switching • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note 文件：431.25 Kbytes 页数：14 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ24_11	文件：1.74995 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.74995 Mbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ24A	文件：280.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：280.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLZ24L	文件：314.12 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 文件：314.12 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRLZ24L	文件：245.79 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：245.79 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

技术参数

OPN：
IRLZ24NPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
60 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
105 mΩ
ID @25°C max：
18 A
QG typ @4.5V：
10 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2 V
VGS(th)：
1.5 V
Technology：
IR MOSFET™

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