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IRLZ24NS	文件：180.51 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ24NSPBF	文件：301.3 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ24PBF	文件：1.77672 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IRF International Rectifier	IRF
IRLZ24PBF	文件：1.617 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign, lowon-resistanceandcosteffectiveness.TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissip	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ24S	文件：431.25 Kbytes Page：14 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ24S_V02	文件：431.25 Kbytes Page：14 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Logic-levelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ24_11	文件：1.74995 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ24A	文件：280.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLZ24L	文件：314.12 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLZ24L	文件：245.79 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRLZ24
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 17 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市昌和盛利电子有限公司	IRLZ24	IR	23+	TO-220	35890		询价
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