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PT3636	文件：196.5 Kbytes Page：1 Pages	HighSensitivityUnipolarSwitch	PROLIFICProlific Technology Inc. 旺玖科技旺玖科技股份有限公司	PROLIFIC
PT3636	文件：196.5 Kbytes Page：1 Pages	3.8V~24Voperation	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
RMQCBA3636DGBA	文件：849.61 Kbytes Page：30 Pages	36-MbitDDR??IISRAM2-wordBurstArchitecture(2.5CycleReadlatency)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RMQCEA3636DGBA	文件：416.34 Kbytes Page：31 Pages	36-MbitDDR™IISRAM2-wordBurstArchitecture(2.5CycleReadlatency)withODT Description TheRMQCEA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQCEA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RMQCHA3636DGBA	文件：846.53 Kbytes Page：30 Pages	36-MbitDDR™IISRAM2-wordBurstArchitecture(2.0CycleReadlatency) Description TheRMQCHA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQCHA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RMQCLA3636DGBA	文件：885.33 Kbytes Page：30 Pages	36-MbitDDR™IISRAM2-wordBurstArchitecture(2.0CycleReadlatency) Description TheRMQCHA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQCHA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RMQSAA3636DGBA	文件：363.53 Kbytes Page：30 Pages	36-MbitQDR™IISRAM4-wordBurstArchitecture(2.5CycleReadlatency) Description TheRMQSAA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQSAA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RMQSDA3636DGBA	文件：403.69 Kbytes Page：31 Pages	36-MbitQDR™IISRAM4-wordBurstArchitecture(2.5CycleReadlatency)withODT Description TheRMQSDA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQSDA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RMQSGA3636DGBA	文件：359.37 Kbytes Page：30 Pages	36-MbitQDR™IISRAM4-wordBurstArchitecture(2.0CycleReadlatency) Description TheRMQSGA3636DGBAisa1,048,576-wordby36-bitandtheRMQSGA3618DGBAisa2,097,152-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryand	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RMQSKA3636DGBA	文件：399.71 Kbytes Page：31 Pages	36-MbitQDR™IISRAM4-wordBurstArchitecture(2.0CycleReadlatency)withODT Features PowerSupply 1.8Vforcore(VDD),1.4VtoVDDforI/O(VDDQ) Clock Fastclockcycletimeforhighbandwidth Twoinputclocks(Kand/K)forpreciseDDRtimingatclockrisingedgesonly Twooutputechoclocks(CQand/CQ)simplifydatacaptureinhigh-speedsystems	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
TPESD3636P	文件：1.26449 Mbytes Page：5 Pages	4=ChannelESDProtectionDiodeforUSBType=CandHDMI2.0 Features Ultralowcapacitance:0.25pFtypical(I/Oto1/0) Ultralowleakage:nAlevel BreakdownVoltage:5.5V(Minimum) Lowclampingvoitage Complieswithfollowingstandards: —\|IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+20kV Contactdischarge:+15kV —IEC61000-4-4(EFT)80A(	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC

详细参数

型号：
IRLU3636
功能描述：
MOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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