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IRLU3636	文件：247.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRLU3636	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 I-Pak 封装的 60V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• Optimized for broadest availability from distribution partners\n• Product qualification according to JEDEC standard\n• Logic level : Optimized for 10V gate-drive voltage (called Normal level), and capable of being driven at 4.5V gate-drive voltage\n• Industry standard through-hole power pac;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRLU3636PBF	文件：388.97 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：388.97 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRLU3636-701TRP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 60V 50A IPAK	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

OPN：
IRLU3636PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
IPAK
VDS max：
60 V
RDS (on) @10V max：
6.8 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
8.3 mΩ
ID @25°C max：
99 A
QG typ @4.5V：
33 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
2.5 V
VGS(th)：
1.75 V
Technology：
IR MOSFET™

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