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IRLR9343PBF | DIGITAL AUDIO MOSFET Description This Digital Audio HEXFET® is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MosFET utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. Furthermore, Gate charge, body-diode reverse recovery and internal Gate resistance are o 文件：299.57 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
IRLR9343PBF | Advanced Process Technology 文件：308.71 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | |
Advanced Process Technology 文件：308.71 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
-60V P-Channel MOSFET Description Advanced Process Technology Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications Low RDSON for Improved Efficiency Low Qg and Qsw for Better THD and Improved Efficiency Low Qrr for Better THD and Lower EMI 175°C Operating Junction Temperature for Ruggedness Repet 文件：396.62 Kbytes 页数：7 Pages | EVVOSEMI 翊欧 | EVVOSEMI | ||
key parameters optimlzed for class-d audio amplifier applications 文件：308.71 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
P-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.12137 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI |
详细参数
- 型号：
IRLR9343PBF
- 功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 31nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
25+ |
TO-252 |
32360 |
IR全新特价IRLR9343PBF即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-252 |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
D-PAK |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
IR |
12+ |
NA |
100 |
终端备货原装现货-军工器件供应商 |
询价 | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
IR |
25+ |
TO-252 |
15000 |
一级代理原装现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
65230 |
询价 |
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