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IRLI530G

Logic-Level Gate Drive

文件:1.54383 Mbytes 页数:8 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRLI530G

HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.16廓 , ID=9.7A )

文件:175.4 Kbytes 页数:6 Pages

IRF

IRLI530G_V01

Power MOSFET

文件:902.05 Kbytes 页数:10 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRLI530GPBF

HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.16廓 , ID=9.7A )

文件:937.18 Kbytes 页数:7 Pages

IRF

IRLI530GPBF

Power MOSFET

文件:902.05 Kbytes 页数:10 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

IRLI530G

Power MOSFET

Vishay

威世

IRLI530G

HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.16Ω , ID=9.7A )

Infineon

英飞凌

IRLI530G/SiHLI530G

Power MOSFET

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    IRLI530G

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 100V 9.7 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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IR
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更多IRLI530G供应商 更新时间2026-1-29 18:55:00