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IRLI630G	文件：1.04117 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI630GPBF	文件：1.41327 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.40Ω ID=6.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalins	IRF International Rectifier	IRF
IRLI630GPBF	文件：1.02856 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI630GPBF	文件：1.04117 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRLI630GPBF.	文件：1.41327 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.40Ω ID=6.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalins	IRF International Rectifier	IRF
IRLS630A	文件：282.84 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4Ω ID=6.5A FEATURES ●Logic-LevelGateDrive ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ●LowerRDS(ON):0	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLS630A	文件：264.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLW630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4Ω ID=9A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦150°COperatingTemperature ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):0.	IRF International Rectifier	IRF
IRLW630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	ADVANCEDPOWERMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4Ω ID=9A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦150°COperatingTemperature ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):0.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLW630A	文件：362.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市柯尔基电子有限公司	IRL631PBF	VISHAY	23+24	TO-220	59630	主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管	询价
深圳市华来深电子有限公司	IRL6342	IR	23+	SOP-8	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市博浩通科技有限公司	IRL6342	IR	23+	SOP-8	69000	全新原装现货热卖/代理品牌/可申请样品和规格书	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRL6342	NEXPERIA/安世	23+	SOT89	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRL6342	IR	2022+	SOP-8	40000	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市胜彬电子有限公司	IRL6342	IR	22+	SOP-8	8000	原装正品支持实单	询价
深圳市能元时代电子有限公司	IRL6342	原装正品	23+	SOP-8	24749	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
深圳市晨豪科技有限公司	IRL6342	INFINEON/英飞凌	23+	SOP-8	89630	当天发货全新原装现货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IRL6342	IR	2022+	SOP-8	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRL6342	IR	23+	SOP-8	8000	只做原装现货	询价

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