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IRLS630A中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

IRLS630A
厂商型号

IRLS630A

功能描述

Advanced Power MOSFET

文件大小

282.84 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 17:21:00

IRLS630A规格书详情

BVDSS = 200 V

RDS(on) = 0.4 Ω

ID = 6.5 A

FEATURES

● Logic-Level Gate Drive

● Avalanche Rugged Technology

● Rugged Gate Oxide Technology

● Lower Input Capacitance

● Improved Gate Charge

● Extended Safe Operating Area

● Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 200V

● Lower RDS(ON) : 0.335Ω (Typ.)

产品属性

  • 型号:

    IRLS630A

  • 功能描述:

    MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
22+
SOT-6009&NBS
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