IRG4PSH71UD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

1200V IGBT 与超快 4-20 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-247AA 封装中。

特性 Features

• 超快，经过优化的开关速度，满足 8 至 40kHz 的硬开关工作频率要求
• 谐振模式软开关频率为 200kHz
• IGBT 的设计提供更紧凑的参数分布和更高的效率
• Super-247 封装相较于同等尺寸的 TO-247 封装，功率处理功能更强
• 爬电距离增至 5.35mm
• 无铅

优势:
• 第四代 IGBT 提供可实现的高效率
• 出色的功率密度，功率处理能力是 TO-247 的两倍，空间占用量却比 TO-264 少
• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT
• 设计上更节约成本和空间，但要求使用多个并联 IGBT
• HEXFREDTM 反并联二极管将开关损耗和 EMI 降至最低

应用 Application

• 太阳能
• 焊接

简介

IRG4PSH71UD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4PSH71UD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。