INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH

Features • UltraFast switching speed optimized for operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz in resonant mode soft switching • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than prior generations

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • UltraFast switching speed optimized for operating frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz in resonant mode soft switching • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduction losses) than

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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1200V UltraFast 4-20 kHz CoPack IGBT in a TO-274AA package

1200V IGBT 与超快 4-20 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-247AA 封装中。 • 超快，经过优化的开关速度，满足 8 至 40kHz 的硬开关工作频率要求\n• 谐振模式软开关频率为 200kHz\n• IGBT 的设计提供更紧凑的参数分布和更高的效率\n• Super-247 封装相较于同等尺寸的 TO-247 封装，功率处理功能更强\n• 爬电距离增至 5.35mm\n• 无铅\n\n优势:\n• 第四代 IGBT 提供可实现的高效率\n• 出色的功率密度，功率处理能力是 TO-247 的两倍，空间占用量却比 TO-264 少\n• 针对特定应用条件进行过优化的 IGBT\n• 设计上更节约成本和空间，但要求使用多个并联 IGBT\n• HEXFREDTM 反并联二;

Infineon

英飞凌

Package：TO-274AA；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 99A 350W SUPER247

INFINEON

英飞凌

Package：TO-274AA；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 99A 350W SUPER247

INFINEON

英飞凌