IRG4PSH71KD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

1200V IGBT 与超快 4-20 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-247AA 封装中。

特性 Features

• 高短路额定值的 IGBT，对电机控制进行了优化
• 低开关损耗和低通态损耗
• 参数分布紧凑
• 与超快软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT
• 爬电距离增至 5.35mm
• 无铅

优势:
• 高额定电流联合封装 IGBT
• 出色的功率密度，功率处理能力是 TO-247 的两倍，空间占用量却比 TO-264 少
• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化，将噪声、EMI 和开关损耗降至最低

应用 Application

• 风扇
• 驱动器和泵
• 太阳能
• 不间断电源（UPS）

简介

IRG4PSH71KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4PSH71KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。