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IRG4PC30FDPBF	文件：385.52 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：385.52 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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IRG4PC30FPBF	文件：273.67 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT 文件：273.67 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30FPBF	文件：274.63 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：274.63 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30FPBF_15	文件：274.63 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：274.63 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30K	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC30KDPBF	文件：346.22 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：346.22 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
17.0A
IC(@25°) max：
31.0A
ICpuls max：
124.0A
Ptot max：
100.0W
VCE(sat) ：
1.59V
Eon ：
0.23mJ
Eoff(Hard Switching) ：
1.18mJ
td(on) ：
20.0ns
tr ：
16.0ns
td(off) ：
290.0ns
tf ：
350.0ns
QGate ：
67.0nC
Ets (max)：
1.41mJ (2.0mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
VCE max：
600.0V

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更多IRG4PC30供应商更新时间2025-10-9 14:00:00

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