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IRG4BC20KD

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 16A 60W TO220AB

Infineon

英飞凌

IRG4BC20KD-S

600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a D2-Pak package

600V IGBT 与 8-25 kHz 超快、超软恢复反并联二极管联合封装到 D2-Pak 封装中 • 对电机控制的高短路额定值进行了优化,tsc =10µs, @360V VCE(启动),TJ=125°C, VGE=15V\n• 相较于前代,参数分布更紧凑,效率更高\n• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• 4 IGBT 提供可行的高功率密度电机控制\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化,将噪声、EMI 和开关损耗降至最低;

Infineon

英飞凌

IRG4BC20KDPBF

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 16A 60W TO220AB

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4BC20KD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,9A

  • 开关能量:

    340µJ(开),300µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    54ns/180ns

  • 测试条件:

    480V,9A,50 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 16A 60W TO220AB

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRG4BC20KD供应商 更新时间2025-10-4 13:00:00