Short Circuit Rated UltraFast IGBT

Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations •

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAGAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAGAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Infineon

英飞凌

Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 16A 60W TO220AB

INFINEON

英飞凌

600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a D2-Pak package

600V IGBT 与 8-25 kHz 超快、超软恢复反并联二极管联合封装到 D2-Pak 封装中 • 对电机控制的高短路额定值进行了优化，tsc =10µs, @360V VCE（启动），TJ=125°C, VGE=15V\n• 相较于前代，参数分布更紧凑，效率更高\n• 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• 4 IGBT 提供可行的高功率密度电机控制\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化，将噪声、EMI 和开关损耗降至最低;

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

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Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 16A 60W TO220AB

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Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 16A 60W TO220AB

INFINEON

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