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IRFZ48RS	文件：961.63 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION AdvancedPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFZ48RS	文件：275.14 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •DynamicdV/dt •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •DropinreplacementoftheIRFZ48,SiHFZ48for linear/audioapplications •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/do	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFZ48RS_V01	文件：275.14 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •DynamicdV/dt •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •DropinreplacementoftheIRFZ48,SiHFZ48for linear/audioapplications •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/do	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFZ48RSPBF	文件：255.82 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018廓 , ID = 50A ) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ48RSPBF	文件：961.63 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION AdvancedPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanext	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFZ48R_V01	文件：200.28 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFZ48RL	文件：208.55 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFZ48RLPBF	文件：208.55 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFZ48RPBF	文件：200.28 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFZ48RS	文件：208.55 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFZ48R
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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