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IRFZ24LPBF	文件：429.32 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerw	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFZ24N	文件：64.86 Kbytes Page：8 Pages	N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintendedforuseinswitchedmodepowe	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRFZ24N	文件：123.82 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A) Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarew	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ24N	文件：163.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsin powersupplies,convertersandpowermotorcontrols,these devicesareparticularlywellsuitedforbridgecircuitswhere diodespeedandcommutatingsafeoperatingareasarecritical andofferadditional	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFZ24N	文件：741.17 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. ●AdvancedProcessT	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFZ24N	文件：596.43 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicethatHEXFETpowerMOSFETsarewellknow	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFZ24N	文件：167.19 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfrom InternationalRectifierutilizeadvancedprocessing techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance persiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefast switchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET powerMOSFETsarewellknown	SYC SYC Electronica	SYC
IRFZ24NL	文件：159.21 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF
IRFZ24NL	文件：159.84 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFET PowerMOSFETVDSS=55V,RDS(on)=0.07mohm,ID=17A	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
IRFZ24NLPBF	文件：670.82 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFZ24
功能描述：
MOSFET N-Chan 60V 17 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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