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IRFS634B	文件：859.54 Kbytes Page：10 Pages	250V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS634B	文件：896.45 Kbytes Page：9 Pages	250V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFS634B	文件：265.23 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFW634B	文件：649.97 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
L634	文件：469.74 Kbytes Page：10 Pages	THREEPHASEMOTORDRIVER DESCRIPTION TheL6234isatriplehalfbridgetodriveabrushlessmotor. ItisrealizedinMultipowerBCDtechnologywhichcombinesisolatedDMOSpowertransistorswithCMOSandBipolarcircuitsonthesamechip. Byusingmixedtechnologyithasbeenpossibletooptimizethelogiccircuitryan	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L634	文件：585.91 Kbytes Page：4 Pages	PowerModules •LowProfile •7DifferentCircuitstoChoosefrom •DesignedforPrintedCircuitBoardConnections	crydom Crydom Inc.,	crydom
L634F	文件：585.91 Kbytes Page：4 Pages	PowerModules •LowProfile •7DifferentCircuitstoChoosefrom •DesignedforPrintedCircuitBoardConnections	crydom Crydom Inc.,	crydom
LB-634	文件：312.44 Kbytes Page：2 Pages	PRINTEDCIRCUITTRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
LB634P	文件：189.33 Kbytes Page：4 Pages	EnclosedIsolators3,4,6and8Poles	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
LU634	文件：143.02 Kbytes Page：4 Pages	PhotoDMOS-FETRelay Description TheLU634isa1-FormBsolidstaterelayina4pinSMDpackagethatemploysopticallycoupledMOSFET technologytoprovide3750V/5000Vofinputtooutputisolation.Theopticallycoupledinputiscontrolledbya highlyefficientGaAlAsinfraredLEDandMOSFETsontheoutputside.	LETEXLETEX technology corp 台湾丽太丽太科技股份有限公司	LETEX

详细参数

型号：
IRFS634B
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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