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IRFS634B	文件：859.54 Kbytes Page：10 Pages	250V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：859.54 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRFS634B	文件：896.45 Kbytes Page：9 Pages	250V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：896.45 Kbytes 页数：9 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFS634B	文件：265.23 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：265.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFS634B	文件：300 bytes Page：1 Pages	250V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多IRFS634B供应商更新时间2025-12-1 18:36:00