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IRFS520A	文件：251.49 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ 175°C Operating Temperature ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V ■ Lower RDS(ON) : 0.155 Ω(Typ.) 文件：251.49 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS520A	文件：271.53 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：271.53 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFS520A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRFW520A	文件：252.99 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■ Avalanche Rugged Technology ■ Rugged Gate Oxide Technology ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ 175°C Operating Temperature ■ Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V ■ Lower RDS(ON) : 0.155 Ω(Typ.) 文件：252.99 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW520A	文件：361.88 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：361.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFWI520A	文件：252.99 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET 文件：252.99 Kbytes 页数：7 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
IRFS520A
功能描述：
MOSFET 100V N-Channel A-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFS520A供应商更新时间2025-10-12 16:12:00

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