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IRFS52N15D	文件：134.84 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) Benefits • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters 文件：134.84 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFS52N15D	文件：335.27 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFS52N15DPBF	文件：345.45 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● Lead-Free Applications ● High frequency DC-DC converters ● Plasma Displa 文件：345.45 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFS52N15DTRLP	文件：345.45 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● Lead-Free Applications ● High frequency DC-DC converters ● Plasma Displa 文件：345.45 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRFS52N15DPBF	文件：330.66 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：330.66 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFS52N15DPBF_15	文件：330.66 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：330.66 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFS52N15D	文件：300 bytes Page：1 Pages	150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 具备完全特性化的雪崩电压和电流\n• 低栅漏电荷，可降低开关损耗\n• 具备完全特性化的的电容，包括有效的Coss以简化设计;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRFS52N15DTRLP
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
150 V
RDS (on) @10V max：
32 mΩ
ID @25°C max：
51 A
QG typ @10V：
60 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
3 V
VGS(th) max：
5 V
VGS(th)：
4 V
Technology：
IR MOSFET™

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