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AOB430Y	文件：131.41 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOB430YusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseinhighvoltagesynchronousrectification,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOB430YisPbfree,insidean	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB430YL	文件：131.41 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOB430YusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseinhighvoltagesynchronousrectification,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOB430YisPbfree,insidean	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT430	文件：999.76 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel80V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitching •SynchronousRectification •DC/ACInverters •LEDBacklighting	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOT430	文件：304.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=75V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11.5mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lo	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT430	文件：80.21 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOT430usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOT430isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications). Fea	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AWS430	文件：370.09 Kbytes Page：3 Pages	AutomaticWeatherStationAWS430 Features •Specificallydesignedforcritical maritimeweatherapplications •High-qualityanti-corrosivedesign •ComplieswithLloyd’sRegister andIEC60945requirementsfor applicableparts •Highdataavailability •Built-intestproceduresanddata validation •Accuratetruewindc	VAISALAVaisala 维萨拉（北京）维萨拉（北京）测量技术有限公司	VAISALA
B430	文件：80.89 Kbytes Page：1 Pages	SiliconBridgeRectifier	EDAL Edal Industries, Inc.	EDAL
BCM430X	文件：131.39 Kbytes Page：2 Pages	SENTRY5PRODUCTLINE:SECUREDSWITCHPROCESSORS	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM430X	文件：129.699 Kbytes Page：2 Pages	SENTRY5PRODUCTLINE:BCM5364/BCM5364PSECUREDSWITCHPROCESSORS OVERVIEW BroadcomsBCM5364andBCM5364P,twoSystem-On-Chips,arethemosthighlyintegratedaccessswitchprocessorthereare.TheBCM5364/BCM5364Palsofeaturesanon-chip,five-port10/100Ethernetswitchwithmanagementfeatures.Thisswitchprocessoralsooffersextensiveprocessorandinter	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCR430U	文件：271.21 Kbytes Page：11 Pages	LowDropVoltageLEDDriverIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BD430	文件：105.08 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANARTRANSISTOR PnpSiliconPlanarTransistor	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BGA430	文件：724.48 Kbytes Page：24 Pages	A35dBGain-SlopedLNBI.F.AmplifierforDirectBroadcastSatelliteTelevisionApplicationsusingtheBGA430&BGB540SiliconMMICs Description TheBGA430isabroadbandhighgainamplifierbaseduponInfineonTechnologies’SiliconBipolarTechnologyB6HF.HousedinasmallSOT363packagethisSiliconMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)requiresveryfewexternalcomponentsduetotheintegratedbiasingconcept.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BTM430	文件：1.61445 Mbytes Page：25 Pages	modulesfromLairdTechnologieshavebeendesignedtomeettheneedsofdeveloperswhowishtoaddrobust	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BTM430	文件：257.97 Kbytes Page：2 Pages	BluetoothEndProductQualified	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BTM430	文件：448.29 Kbytes Page：2 Pages	Bluetooth짰ATDataModule	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
C430	文件：5.29445 Mbytes Page：66 Pages	AluminumElectrolyticCapacitors	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C430	文件：1.07076 Mbytes Page：14 Pages	MULTILAYERCERAMICCAPACITORS/AXIAL&RADIALLEADED	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C430	文件：935.35 Kbytes Page：14 Pages	MULTILAYERCERAMICCAPACITORS/AXIAL&RADIALLEADED MULTILAYERCERAMICCAPACITORS/AXIAL&RADIALLEADED Multilayerceramiccapacitorsareavailableinavarietyofphysicalsizesandconfigurations,includingleadeddevicesandsurfacemountedchips.Leadedstylesincludemoldedandconformallycoatedpartswithaxialandradialleads.However	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C430	文件：971.77 Kbytes Page：16 Pages	MULTILAYERCERAMICCAPACITORS/AXIAL&RADIALLEADED	KEMETKEMET Corporation 基美基美公司	KEMET
C430	文件：898.91 Kbytes Page：6 Pages	PhaseControlSCR680AmperesAvg500-1300Volts	POWEREX POWEREX	POWEREX

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详细参数

型号：
IRFR430ATRPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRFR430ATRPBF	Vishay Siliconix	24+	D-Pak	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	IRFR430ATRPBF	VISHAY	23+	SOT-252	65400		询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	IRFR430ATRPBF	IR/VISH	2020+	TO-252	8000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市宝隆宏业科技有限公司	IRFR430ATRPBF	VISHAY/威世	21+	TO-252	36800	进口原装现货假一赔十	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	IRFR430ATRPBF	VISHAY/威世	20+	TO-252	300	进口原装假一赔十支持含税	询价
深圳市昊创电子有限公司	IRFR430ATRPBF	VISHAY	2021+	DPAK	9450	原装现货。	询价
深圳市珩瑞科技有限公司	IRFR430ATRPBF	IR/VISHAY	21+	TO-252	6000	原装正品	询价
深圳市安博威科技有限公司	IRFR430ATRPBF	VISHAY	21+	TO-252-3 (DPAK)	18000	原装正品有挂有货	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	IRFR430ATRPBF	VISAYH	2024+实力库存	TO-252	2500	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市华高宇电子有限公司	IRFR430ATRPBF	VISHAY	21+		6000	TO-252-3 (DPAK)	询价

更多IRFR430ATRPBF供应商更新时间2024-5-21 22:49:00

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