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IRFR220TRR	文件：1.44698 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vaporphase, infrared, or wave soldering techniques. The str 文件：1.44698 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR220TRR	文件：3.96242 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：3.96242 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR220TRRPBF	文件：3.96242 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：3.96242 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
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IRFR220A	文件：321.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：321.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFR220N	文件：335.72 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.72 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFR220NPBF	文件：3.83872 Mbytes Page：10 Pages	SMPS MOSFET 文件：3.83872 Mbytes 页数：10 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR220NPBF	文件：230.1 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：230.1 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR220NPBF	文件：230.1 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：230.1 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR220NPBF_15	文件：230.1 Kbytes Page：11 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：230.1 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

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技术参数

OPN：
IRFR220NTRLPBF/IRFR220NTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK/DPAK
VDS max：
200 V
RDS (on) @10V max：
600 mΩ/600 mΩ
ID @25°C max：
5 A/5 A
QG typ @10V：
15 nC/15 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V/2 V
VGS(th) max：
4 V/4 V
VGS(th)：
3 V/3 V
Technology：
IR MOSFET™/IR MOSFET™

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