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IRFR220TRR中文资料KERSEMI数据手册PDF规格书

IRFR220TRR
厂商型号

IRFR220TRR

功能描述

Power MOSFET

文件大小

3.96242 Mbytes

页面数量

7

生产厂商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企业简称

KERSEMI

中文名称

Kersemi Electronic Co., Ltd.官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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IRFR220TRR规格书详情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surcace mount applications.

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFR220/SiHFR220)

• Straight Lead (IRFU220/SiHFU220)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

产品属性

  • 型号:

    IRFR220TRR

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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