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IRFU12N25DPBF	文件：231.09 Kbytes Page：11 Pages	HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRFU12N25DPBF	文件：3.84664 Mbytes Page：10 Pages	SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU12N25DPBF	文件：230.13 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=250V,RDS(on)max=0.26廓,ID=14A) Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF

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文件：231.09 Kbytes

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HighfrequencyDC-DCconverters

IRF

International Rectifier

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IRFU12N25DPBF

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SMPSMOSFET

Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduceSwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters ●Lead-Free

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

KERSEMI

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HEXFETPowerMOSFET(VDSS=250V,RDS(on)max=0.26廓,ID=14A)

IRF

International Rectifier

IRF

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详细参数

型号：
IRFR12N25DCTRLP
功能描述：
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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