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IRFR210BTM	文件：1.37367 Mbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 200V, ID= 30 A RDS(ON) 文件：1.37367 Mbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
IRFR210PBF	文件：2.15484 Mbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET 文件：2.15484 Mbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRFR210PBF	文件：2.39965 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：2.39965 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRFR210PBF	文件：4.91599 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：4.91599 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI

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