| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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35600 |
23+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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IRTO-252 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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20000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IRTP-252 |
28650 |
23+ |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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VISHAY/IR原厂封装 |
9025 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
11246 |
19+/20+ |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-252-3 (DPAK) |
6000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHAYTO252 |
12000 |
07+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYTO252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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IR23+ |
16500 |
2021+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO252 |
70 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)TO-252 |
62122 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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10000 |
21+ |
TO-252-3 (DPAK) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-252-3 (DPAK) |
12000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IRTO-252 |
11246 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT252 |
8320 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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6000 |
23+ |
原装现货 本公司为一般纳税人,可开17%增值税票 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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IRTO-252 |
86200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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绿盛电子(香港)有限公司5年
留言
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IRD-Pak |
19889 |
2015+ |
一级代理原装现货,特价热卖! |
IRFR220TR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR220TR图片
IRFR220TRLPBF价格
IRFR220TRLPBF价格：￥1.6299品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRFR220TRLPBF多少钱，想知道IRFR220TRLPBF价格是多少？参考价：￥1.6299。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR220TRLPBF批发价格及采购报价，IRFR220TRLPBF销售排行榜及行情走势，IRFR220TRLPBF报价。
IRFR220TR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR220TR功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR220TRL功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR220TRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR220TRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR220TRR功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR220TRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
