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IRFR120NPBF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:396.01 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRFR120NPBF

Surface Mount (IRFR120N)

文件:396.01 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRFR120NPBF_15

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件:396.01 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRFR120NTRPBF

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:979.62 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IRFR120NTRRPBF

Ultra Low On-Resistance

文件:249.71 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRFR120N

100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装

\n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRFR120NTRLPBF/IRFR120NTRPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    DPAK/DPAK

  • VDS max:

    100 V

  • RDS (on) @10V max:

    210 mΩ/210 mΩ

  • ID @25°C max:

    9.4 A/9.4 A

  • QG typ @10V:

    16.7 nC/16.7 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    2 V/2 V

  • VGS(th) max:

    4 V/4 V

  • VGS(th):

    3 V/3 V

  • Technology:

    IR MOSFET™/IR MOSFET™

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRFR120N供应商 更新时间2025-12-24 15:05:00