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IRFR1010ZTRL	文件：4.51535 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：4.51535 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR1010ZTRLPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：334.4 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR1010ZTRPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：334.4 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRFR1010ZTRR	文件：4.60477 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：4.60477 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR1010Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D-Pak 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 快速开关\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRFR1010ZTRLPBF/IRFR1010ZTRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DPAK/DPAK
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
7.5 mΩ/7.5 mΩ
ID @25°C max：
91 A/91 A
QG typ @10V：
63 nC/63 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V/2 V
VGS(th) max：
4 V/4 V
VGS(th)：
3 V/3 V
Technology：
IR MOSFET™/IR MOSFET™

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