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IRFR1010ZTRR	文件：4.60477 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFRSLASHU1010Z	文件：4.28522 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU1010Z	文件：292.8 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRF International Rectifier	IRF
IRFU1010Z	文件：247.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFU1010ZPBF	文件：354.1 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFU1010ZPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFU1010ZPBF	文件：4.35518 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU1010ZPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRS1010C	文件：379.14 Kbytes Page：2 Pages	MostintegratedandsophisticatedTime-of-Flight(ToF)imageravailableonthemarket.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRU1010	文件：95.8 Kbytes Page：6 Pages	1ALOWDROPOUTPOSITIVEADJUSTABLEREGULATOR DESCRIPTION TheIRU1010isalowdropout,three-terminaladjustableregulatorwithminimumof1Aoutputcurrentcapability.ThisproductisspecificallydesignedtoprovidewellregulatedsupplyforlowvoltageICapplicationssuchashighspeedbusterminationandlowcurrent3.3Vlogicsupply.	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFR1010ZTRR
功能描述：
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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