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IRFPS37N50A	文件：156.02 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Switch 文件：156.02 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPS37N50A	文件：115.06 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.13ohm, Id=36A) Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss Specified (See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS 文件：115.06 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFPS37N50A	文件：371.25 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 36A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.13Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switch Mode Power Supply (SMPS) · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Power Factor Correction (PFC) 文件：371.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFPS37N50A	文件：374.03 Kbytes Page：3 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：374.03 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFPS37N50A	文件：182.7 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：182.7 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPS37N50APBF	文件：156.02 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Switch 文件：156.02 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPS37N50APBF	文件：147.21 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on)max = 0.13廓 , ID = 36A ) Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Effective Coss Specified (See AN 1001) Applications ● Switch Mode Power Supply (SMPS 文件：147.21 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFPS37N50APBF.	文件：182.7 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Effective Coss Specified • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：182.7 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPS37N50A_17	文件：182.7 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：182.7 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFPS37N50APBF	文件：182.7 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：182.7 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
IRFPS37N50A
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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