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IRFP9140	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRFP9140	文件：59.73 Kbytes Page：7 Pages	19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET ThisisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.ItisaP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistordesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRFP9140	文件：1.44912 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP9140	文件：381.33 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNEL POWER MOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliablility	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRFP9140	文件：757.38 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Isolatedcentralmountinghole •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatash	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP9140	文件：273.24 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP9140_V01	文件：757.38 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •Isolatedcentralmountinghole •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatash	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP9140N	文件：142.22 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP9140NPBF	文件：240.8 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP9140PBF	文件：1.44912 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP9140N	文件：327.49 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP9140NPBF	文件：241.76 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP9140NPBF_15	文件：241.76 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP9140PBF	文件：1.73601 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP9140PBF	文件：757.38 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
9140	文件：2.58537 Mbytes Page：7 Pages	TripleOutputMulti-RangeDCPowerSupplies Featuresandbenefits -Threeindependentgalvanicallyisolated, floatingoutputchannelsprovidingupto100W perchannelor300Wtotal -Highpowerdensity,compact2Uhalf-rackform factor -Multi-rangingoperationdeliversratedpowerat multiplevoltage/currentcombinations -Lowou	BKB&K Precision Corporation B & k B & k 精密机械有限公司	BK
9140A	文件：44.43 Kbytes Page：1 Pages	OVENCONTROLLEDCRYSTALOSCILLTORS(OCXO) [NDK] Mainapplications:Communicationsequipment,Measuringinstrumentsetc. Features: 1.Excellentagingcharacteristics 2.Widefrequencyrange(9168ASeries) 3.Anti-microphonicnoise(9140A-BGE71,9140A-CEE70)	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
AEDB-9140	文件：168.05 Kbytes Page：9 Pages	TwoChannelQuadratureOutputwithIndexPulse	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
AEDT-9140	文件：233.23 Kbytes Page：9 Pages	Easytomount	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
APX9140	文件：56.19 Kbytes Page：7 Pages	HallEffectSensorIC GeneralDescription TheAPX9140isanintegratedHallEffectSensorICdesignedforelectriccommutationofDCbrushlessmotorapplications.TheAPX9140stillcanoperateataslowas3volts.TheAPX9140isavailableinlowcostTO-92Mpackagewith3differentmagneticranks. Features	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC

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详细参数

型号：
IRFP9140
功能描述：
MOSFET P-Chan 100V 21 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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