IRFBF20中文资料IRF数据手册PDF规格书

厂商型号	IRFBF20
功能描述	Power MOSFET(Vdss=900V, Rds(on)=8.0ohm, Id=1.7A)
文件大小	168.78 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	IRF
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更新时间	2026-2-4 10:07:00
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IRFBF20规格书详情

描述 Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitve Avalanche Rated

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

产品属性

型号：
IRFBF20
功能描述：
MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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