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IRFBE30LPBF中文资料威世数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRFBE30LPBF

功能描述

Power MOSFET

文件大小

1.20346 Mbytes

页面数量

8

生产厂商

VISHAY Vishay Siliconix

中文名称

威世 威世科技公司

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-30 20:00:00

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IRFBE30LPBF规格书详情

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

 

产品属性

  • 型号:

    IRFBE30LPBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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